|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние энергии ионов пучка Si+ на образование дефектов и твердофазную рекристаллизацию вблизи границы раздела кремний-сапфирстатья
- Авторы: Шемухин А.А., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В.
- Журнал: Успехи прикладной физики
- Том: 3
- Номер: 6
- Год издания: 2015
- Первая страница: 537
- Последняя страница: 541
- Аннотация: В работе исследовано образование дефектов и последующая твердофазная рекристаллизация в пленках кремния на сапфире в процессе облучения ионами кремния с энергиями в диапазоне от 170 до 230 кэВ при различных температурах подложки. С помощью методики резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием обнаружено, что полное разрушение сильнодефектной области зависит от энергии имплантируемых ионов. Энергия разупорядочения сильнодефектной области при температуре жидкого азота — 200 кэВ, а при комнатной температуре — 230 кэВ.
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович