|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(Pтезисы доклада
- Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г
- Тезисы
- Год издания: 1999
- Место издания: г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
- Первая страница: 51
- Последняя страница: 52
- Аннотация: Получено, что в легированных пленках a-Si:H под влиянием освещения или закалки (быстрого охлаждения) образуются фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния (ФМС и ТМС), обуславливающие повышение проводимости. Проведены исследования релаксации ФМС и ТМС в одних и тех же пленках a-Si:H(P). Установлено, что релаксация как ФМС, так и ТМС описывается растянутой экспонентой с параметрами по-разному зависящими от температуры. Образование ФМС и ТМС, приводящих к повышению темновой проводимости, может быть связано с активацией пассивированных водородом атомов фосфора.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна