Photoluminescence and Electrical Properties of GaAs (111)A Epitaxial Layers Prepared by MOCVDтезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 мая 2019 г.
-
Авторы:
Krukovskyi R.,
Smits K.,
Krutyak N.,
Semkiv I.,
Petrus R.,
Saldan I.,
Krukovskyi S.,
Ilchuk H.
-
Сборник:
Book of Abstracts of 12th International Scientific Conference on Fuctional Materials and Nanotechnologies FM&NT-2018
-
Тезисы
-
Год издания:
2018
-
Место издания:
Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Riga, Latvia
-
Первая страница:
239
-
Добавил в систему:
Крутяк Наталия Романовна