|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Кинетика накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых структурах при радиационных испытаниях, технологическом облучении и отжигетезисы доклада Тезисы
- Авторы: Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Коновалов М.П.
- Сборник: Труды Всероссийской конференции “Стойкость-2002” (г.Лыткарино, 4-6 июня 2002)
- Серия: РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
- Том: 5
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: СПЭЛС Москва
- Первая страница: 260
- Последняя страница: 260
- Аннотация: Рассмотрено применение метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней с целью установления взаимосвязи параметров радиационных центров с критериальными параметрами полупроводниковых приборов при различных видах радиационного воздействия, создающих смещения в кристаллической решетке на примере облучения быстрыми электронами
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович