|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Magnetoelectric effect in ferromagnetic-semiconductor layered composite structureстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 апреля 2019 г.
- Авторы: Fetisov L., Chashin D., Saveliev D., Plekhanova D., Makarova L., Stognii A.
- Журнал: EPJ Web of Conferences
- Том: 185
- Год издания: 2018
- Первая страница: 07005-1
- Последняя страница: 07005-4
- DOI: 10.1051/epjconf/201818507005
- Аннотация: The results of magnetoelectric effect experimental studies in two different structures based on piezoelectric semiconductor gallium arsenide are presented. The monolithic structure consisted of a gallium arsenide substrate with deposited nickel layer (GaAs-Ni), and the composite structure contained a semiconductor substrate with an amorphous magnetic alloy (GaAs-Metglas) ribbon glued on one side. A quality factor Q ≈ 23500 and magnetoelectric coefficient of 316 V/Oe∙cm were achieved at the frequency of planar acoustic oscillations for GaAs-Ni structure at room temperature.
- Добавил в систему: Макарова Людмила Александровна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | epjconf_mism2017_07005.pdf | 371,9 КБ | 23 ноября 2018 [LAMakarova] |