|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Charging and heating effects in a system of coupled single-electron devicesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Krupenin V.A., Lotkhov S.V., Scherer H., Zorin A.B., Weimann Th, Ahlers F.J., Niemeyer J., Wolf H.
- Журнал: Physical Review B
- Том: 59
- Номер: 16
- Год издания: 1999
- Издательство: American Physical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 10778
- Последняя страница: 10784
- DOI: 10.1103/PhysRevB.59.10778
- Аннотация: We report the effect of mutual interaction of metallic SET transistors which islands are located in close proximity. Two main mechanisms of interaction, i.e. via electric field and by means of heating though the common substrate, are found and explained by simulations.
- Добавил в систему: Зорин Александр Борисович