|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Angular distribution of atoms sputtered from silicon by 1-10 keV Ar ionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Chernysh V.S., Kulikauskas V.S., Patrakeev A.S., Abdul-Cader K.M., Shulga V.I.
- Журнал: Radiation Effects and Defects in Solids
- Том: 159
- Номер: 3
- Год издания: 2004
- Издательство: Taylor & Francis
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 149
- Последняя страница: 155
- DOI: 10.1080/104201504100011669613
- Добавил в систему: Куликаускас Вацловас Станиславович