|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Er,Yb:GdAl3(BO3)4 laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS thin filmsстатья
- Авторы: Gorbachenya K.N., Kisel V.E., Yasukevich A.S., Tolstik N., Karhu E., Furtula V., Sorokin E., Maltsev V.V., Leonyuk N.I., Galinis A., Lipinskas T., Gibson U., Sorokina I.T., Kuleshov N.V.
- Сборник: Proc. of CLEO®/EQEC, Munich, Germany, June 25-29, 2017
- Год издания: 2017
- Место издания: CLEO®/EQEC Munich, Germany
- Первая страница: Paper CA-1.2 SUN
- Аннотация: A single-layer MBE-grown Cr:ZnS is employed for passive Q-switching of an Er, Yb:GdAl3(BO3)4 (Er,Yb:GdAB) compact laser. This laser is emitting in the eye-safe range at 1.5 1.7 μm.
- Добавил в систему: Леонюк Николай Иванович