|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Anisotropy of infrared absorption in (110) porous silicon layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июля 2013 г.
- Авторы: Timoshenko V., Osminkina L., Efimova A., Fomenko M., Golovan L., Kashkarov P., Kovalev D., Künzner N., Gross E., Diener J., Koch F.
- Журнал: Phys.stat.sol с
- Том: 2
- Номер: 9
- Год издания: 2005
- Первая страница: 3461
- Последняя страница: 3465
- DOI: 10.1002/pssc.200461221
- Аннотация: In-plane birefringent porous Si (PSi) layers formed from heavily boron-doped (110) Si wafers are investigated by using polarization-resolved infrared absorption (IR) spectroscopy. The absorption by free charge carriers and by Si-Hx (x = 1, 2, 3) surface bond vibrations are found to exhibit strong anisotropy (dichroism), which originates from the form anisotropy of Si nanocrystals assembling (110) PSi layers. The free carrier absorption dichroism is explained by using the effective medium approximation and classical Drude model and considering additional carrier scattering in anisotropically shaped Si nanocrystals.
- Добавил в систему: Осминкина Любовь Андреевна