Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями
статья
Авторы:
Мурыгин В.И., Лосев В.В.,
Гундырев В.Б.
Журнал:
Известия Вузов сер. электроника
Номер:
4
Год издания:
2003
Первая страница:
13
Последняя страница:
19
Добавил в систему:
Гундырев Вадим Борисович