|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Kinetics of the accumulation of radiation defects during the high-dose electron irradiation of Pb1-xSnxSe alloysстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Skipetrov E.P., Kovalev B.B., Skipetrova L.A., Zvereva E.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 32
- Номер: 12
- Год издания: 1998
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1257
- Последняя страница: 1260
- DOI: 10.1134/1.1187610
- Добавил в систему: Зверева Елена Алексеевна