Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучениистатьяИсследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 августа 2019 г.
Аннотация:Проведено облучение наноструктурированного кремния ионами Si+ и He+ с энергиями 200 и 150 кэВ соответственно. Методом комбинационного рассеяния света исследовано разрушение структуры облученныхобразцов, накопление дефектов при различных дозах облучения. Показано, что пленки монокристаллического кремния аморфизуются под действием облучения при величине смещений на атом 0.7. Однако пористыйкремний при величине смещений на атом 0.5 не аморфизуется полностью, в спектрах комбинационногорассеяния наблюдается слабый сигнал, соответствующий аморфной фазе кремния, и в то же времяприсутствует явный сигнал от кристаллической фазы кремния. Проведена оценка размеров нанокристаллитовв структуре пористого кремния при разных дозах облучения.