|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Thermoelectric Characteristics of Heavily Doped p-Type Lead Telluride at Different Heavy-Hole Band Depthsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2019 г.
- Автор: Dmitriev A.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 4
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 419
- Последняя страница: 427
- DOI: 10.1134/S1063782619040079
- Добавил в систему: Дмитриев Алексей Владимирович