Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе кремния на изоляторестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:В работе представлены методы изготовления и результаты исследования полевого транзистора на
основе кремниевого нанопровода, который может быть основой для создания высокочувствитель
ного полевого и зарядового сенсора с нанометровым пространственным разрешением для приме
нений в различных областях физики, биологии и медицины. Транзистор с каналомнанопроводом
изготавливался из материала “кремний на изоляторе” (КНИ) методами электронной литографии и
реактивноионного травления. Особое внимание было уделено электрической изоляции подводя
щих (металлических) контактных проводов к стоку и истоку транзистора как для уменьшения токов
утечки на низлежащую кремниевую подложку, так и для предотвращения контакта с проводящей
средой при экспериментах в жидкости. Проведенные измерения транзистора в жидкостных раство
рах с различным pH показывают возможность использования такого полевого транзистора на осно
ве кремниевого нанопровода в качестве сверхчувствительного полевого/зарядового сенсора.