|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
FEATURES OF TOTAL OPTICAL REFLECTION IN SILICON NANOSTRUCTURES OBTAINED BY METAL ASSISTED CHEMICAL ETCHINGстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 сентября 2019 г.
- Авторы: Mussabek G.K., Assilbayeva R.B., Yermukhamed D., Yar-Mukhamedova G.Sh, Timoshenko V.Yu
- Сборник: International Multidisciplinary Scientific GeoConference Surveying Geology and Mining Ecology Management, SGEM
- Серия: SGEM Conference Proceedings
- Том: 17
- Год издания: 2017
- Место издания: Albena, Bulgaia Sofia
- Первая страница: 141
- Последняя страница: 147
- DOI: 10.5593/sgem2017/61
- Аннотация: Исследовано полное (зеркальное+диффузионное) отражение наноструктурированных слоев Si, полученных методом химического травления (MACE) кристаллических кремниевых (c-Si) пластин. Толщина наноструктурированных слоев Si изменяется от 0,3 до 100 мкм за счет увеличения времени булавы. Установлена логарифмическая зависимость толщины наноструктурированных слоев кремния от времени травления. Спектры полного отражения были измерены в оптическом диапазоне от 0,2 до 2 мкм. В зависимости от толщины образца наблюдался низкий уровень полного отражения около 1% в ультрафиолетовом (УФ)-видимом спектральном диапазоне и сильное увеличение до 80% в инфракрасном (ИК) оптическом диапазоне свыше 1 мкм. Низкое отражение в УФ-видимой области объясняется частичной локализацией света в наноструктурах Si, сопровождающейся сильным поглощением света. Усиленное ИК-отражение, вероятно, связано с сильным рассеянием света нанокристаллами кремния в области прозрачности. Максимальное суммарное отражение в ИК-диапазоне найдено для толщины слоя около 30 мкм. Наблюдалось влияние легирования наноструктур Si донорными и акцепторными примесями, что объяснено в рамках квазиклассического подхода с использованием модели Друде.
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич