Аннотация:Исследовано полное (зеркальное+диффузионное) отражение наноструктурированных слоев Si, полученных методом химического травления (MACE) кристаллических кремниевых (c-Si) пластин. Толщина наноструктурированных слоев Si изменяется от 0,3 до 100 мкм за счет увеличения времени булавы. Установлена логарифмическая зависимость толщины наноструктурированных слоев кремния от времени травления. Спектры полного отражения были измерены в оптическом диапазоне от 0,2 до 2 мкм. В зависимости от толщины образца наблюдался низкий уровень полного отражения около 1% в ультрафиолетовом (УФ)-видимом спектральном диапазоне и сильное увеличение до 80% в инфракрасном (ИК) оптическом диапазоне свыше 1 мкм. Низкое отражение в УФ-видимой области объясняется частичной локализацией света в наноструктурах Si, сопровождающейся сильным поглощением света. Усиленное ИК-отражение, вероятно, связано с сильным рассеянием света нанокристаллами кремния в области прозрачности. Максимальное суммарное отражение в ИК-диапазоне найдено для толщины слоя около 30 мкм. Наблюдалось влияние легирования наноструктур Si донорными и акцепторными примесями, что объяснено в рамках квазиклассического подхода с использованием модели Друде.