|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Mobility anisotropy of two-dimensional hole gases in (001)GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures and the influence of uniaxial compressionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Savin A.M., Soerensen C.B., Hansen O.P., Minina N.Ya, Henini M.
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 14
- Год издания: 1999
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 632
- Последняя страница: 636
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна