Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Highly doped SOI based single-electron transistor: noise characteristics and charge sensitivity
тезисы доклада
Авторы:
Presnov D.E.
,
Vlasenko V.S.
,
Amitonov S.V.
,
Krupenin V.A.
Сборник:
Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2009” (ICMNE-2009)
Тезисы
Год издания:
2009
Место издания:
Zvenigorod, Moscow region, Russia, 5-9 October
Первая страница:
P1-02
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич