|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Noise characteristics and charge sensitivity of highly doped SOI based single-electron transistor versus Al/AlOx/Al junctions based deviceтезисы доклада
- Авторы: Krupenin V.A., Presnov D.E., Vlasenko V.S., Trifonov A.S., Amitonov S.V.
- Сборник: Abstracts of The Third General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science – Virtual Organisation)
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Место издания: IMR, Tohoku University, Japan, 16-18 February
- Первая страница: PS-26
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич