Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний

Балакшин, Ю.В.; Кожемяко, А.В.; Petrovic, S.; Erich, M.; Шемухин, А.А.; Черныш, В.С.

Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Petrovic S., Erich M., Шемухин А.А., Черныш В.С.
Журнал: Физика и техника полупроводников
Том: 53
Номер: 8
Год издания: 2019
Издательство: Наука
Местоположение издательства: СПб.
Первая страница: 1030
Последняя страница: 1036
Переводные версии: Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon
DOI: 10.21883/FTP.2019.08.47990.9108
Аннотация: Представлены экспериментальные распределения концентрации имплантированных ионов ксенона по глубине в зависимости от их зарядового состояния и энергии облучения. Ионы ксенона в зарядовых состояниях q = 1−20 и с энергиями в диапазоне от 50 до 400 кэВ были внедрены в монокристаллический кремний. Облучение проводилось в направлении, не совпадающем с кристаллографическими осями кристалла для исключения эффекта каналирования. Флюенс ионов варьировался в пределах 5·(10^14−10^15) ион/см^2.Облучение однозарядными ионами и изучение образцов методом спектроскопии резерфордовского обратногорассеяния проводилось на ускорительном комплексе HVEE МГУ. Имплантация многозарядных ионовпроводилась на ускорительном комплексе FAMA Института ядерных наук Винча. С помощью спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния получены профили распределения по глубине внедренныхионов. Экспериментальные результаты сопоставлены с компьютерными расчетами. Показано, что среднийпроективный пробег многозарядных ионов в большинстве случаев имеет меньшие значения в сравнении сосредним проективным пробегом однозарядных ионов и результатами компьютерного моделирования.
Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремнийстатья Исследовательская статья

Прикрепленные файлы