|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
ВЛИЯНИЕ ДОБАВОК Ga, In НА КИСЛОТНЫЕ ЦЕНТРЫ И ХЕМОСОРБЦИЮ КИСЛОРОДА НА ПОВЕРХНОСТИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ZnOстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 сентября 2016 г.
- Авторы: Воробьева Н.А., Марикуца А.В., Румянцева М.Н., Козловский В.Ф., Филатова Д.Г., Гаськов А.М.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 52
- Номер: 6
- Год издания: 2016
- Первая страница: 629
- Последняя страница: 634
- DOI: 10.7868/S0002337X1606018X
- Аннотация: Синтезированы образцы нанокристаллического оксида цинка, легированного галлием и индием путем соосаждения из водного раствора. Методами термопрограммируемой десорбции и ИК-спетроскопии исследованы кислотные центры на поверхности материалов. Показано увеличение концентрации ОН-групп на поверхности ZnO〈Ga〉 и ZnO〈In〉 и уменьшение вклада катионных центров в кислотность поверхности с увеличением концентрации примесей. Путем измерения электропроводности в условиях in situ исследовано взаимодействие материалов с кислородом. Выявлено, что легирование оксида цинка галлием и индием способствует увеличению доли молекулярных форм хемосорбированного кислорода на поверхности материала.
- Добавил в систему: Румянцева Марина Николаевна