|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
On the problem of the spontaneous exchange-driven electron interwell re-population in semiconductor quantum wellsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Автор: Dmitriev A.V.
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 14
- Номер: 9
- Год издания: 1999
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 852
- Последняя страница: 856
- DOI: 10.1088/0268-1242/14/9/318
- Аннотация: We reconsider the problem of the so-called exchange instability in symmetric semiconductor quantum wells, that is, an earlier proposed mechanism of a spontaneous inter:ell electron re-population due to different carrier density dependence of the Hartree and exchange energies. We show that the instability presents only in straightforward Hartree-Fock calculations and disappears as one takes into account interwell electron correlations.
- Добавил в систему: Дмитриев Алексей Владимирович