Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
S-TYPE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF INTERBAND BREAKDOWN IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR UNDER SIZE EFFECT CONDITIONS
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Автор:
DMITRIEV AV
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
20
Номер:
7
Год издания:
1986
Первая страница:
764
Последняя страница:
767
Добавил в систему:
Дмитриев Алексей Владимирович