|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Background charge influence on single-electron devices: single-electron transistor and trapтезисы доклада
- Авторы: Presnov D.E., Krupenin V.A., Lotkhov S.V.
- Сборник: Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology
- Тезисы
- Год издания: 1996
- Место издания: Ioffe St.Petersburg, Russia, 24-28 June
- Первая страница: 183
- Последняя страница: 186
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич