ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ГАЗОВОЙ ПОРИСТОСТИ ВДОЛЬ ТРАЕКТОРИИ ПРОЛЕТА ИОНОВ ГЕЛИЯ В ВАНАДИЕВЫХ СПЛАВАХстатьяИсследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:В работе приведены результаты исследования развития пористости и распухания при облучении ионами гелия энергией 40 кэВ до флюенса 5 1020 м-2 при 650 °С сплавов V-Cr, V-W, V-Ta и V-W-Ta. Исследования проводили с помощью просвечивающей электронной микроскопии вдоль пробега ионов, что позволило получить представление о полном распухании образцов и характере распределения пористости по глубине мишеней. Установлено, что газовое распухание двойных сплавов в пределах ошибки измерения совпадает, с точки зрения подавления гелиевого распухания эффективным является многокомпонентное легирование - тройной сплав V-1%W-1%Ta подвержен значительно меньшему гелиевому распуханию. Впервые в экспериментах обнаружено, что распределение и глубина проникновения ионов гелия существенно отличаются от расчетных. Причем эффект сильно зависит от химического состава облучаемого сплава. Среди использованных легирующих элементов тантал способствует наиболее глубокому проникновению ионов гелия. При этом эффект возрастает с увеличением его концентрации в сплаве: в сплавах V-1%Ta и V-2%Ta поры обнаружены на глубине 450-500 и 850-900 нм соответственно, что значительно больше расчетного пробега ионов гелия энергией 40 кэВ в ванадии (~300 нм). Рис. 6, табл. 1, список лит. 16 назв.