|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Defect and precipitates in silicon after high temperature diffusion of zinc and quenchingтезисы доклада
- Авторы: Privezentsev V.V., Saraykin V.V., Shcheglov M.P., Sokolov V.N., Chernov M.S., Bulygina L.G.
- Сборник: Book of abstracts XV International Conference On Integranular And Interphase Boundaries In Materials (May 23-27, 2016, Moscow, Russia)
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: NUST «MIS&S»
- Первая страница: 185
- Последняя страница: 185
- Добавил в систему: Булыгина Людмила Геннадьевна