Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content

Yuzeeva, N.A.; Sorokoumova, A.V.; Lunin, R.A.; Oveshnikov, L.N.; Galiev, G.B.; Klimov, E.A.; Lavruchin, D.V.; Kulbachinskii, V.A.

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 октября 2016 г.

Авторы: Yuzeeva N.A., Sorokoumova A.V., Lunin R.A., Oveshnikov L.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Lavruchin D.V., Kulbachinskii V.A.
Журнал: Journal of Low Temperature Physics
Том: 185
Год издания: 2016
Издательство: Springer Verlag
Местоположение издательства: Germany
Первая страница: 701
Последняя страница: 706
DOI: 10.1007/s10909-016-1589-6
Аннотация: InxGa1−xAs/InyAl1−yAs HEMT structures δ-doped by Si were grown by molecular beam epitaxy on InP substrate. We investigated the influence of the In content on the electron mobilities and effective masses in dimensionally quantized subbands. The electron effective masses were determined by the temperature dependence of the amplitude of the Shubnikov–de Haas effect at 1.6 and 4.2 K. We found that the more the In content in quantum well (QW), the less the electron effective masses. The mobilities are higher in HEMT structures with wider and deeper QW. The energy band diagrams were calculated by using Vegard’s law for basic parameters. The calculated band diagrams are in a good agreement with the experimental data of photoluminescence spectra.
Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Contentстатья

Прикрепленные файлы