|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Effect of Thallium Doping on the Mobility of Electrons in Bi2Se3 and Holes in Sb2Te3статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 августа 2016 г.
- Авторы: Kudryashov A.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A., Banerjee A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 50
- Номер: 7
- Год издания: 2016
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 869
- Последняя страница: 875
- DOI: 10.1134/S1063782616070113
- Аннотация: The Shubnikov–de Haas effect and the Hall effect in n-Bi2 – xTlxSe3 (x = 0, 0.01, 0.02, 0.04) and p-Sb2 – xTlxTe3 (x = 0, 0.005, 0.015, 0.05) single crystals are studied. The carrier mobilities and their changes upon Tl doping are calculated by the Fourier spectra of oscillations. It is found shown that Tl doping decreases the electron concentration in n-Bi2 – xTlxSe3 and increases the electron mobility. In p-Sb2 – xTlxTe3, both the hole concentration and mobility decrease upon Tl doping. The change in the crystal defect concentration, which leads to these effects, is discussed.
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Sem2016.pdf | 346,9 КБ | 24 января 2017 [lunin] |