Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Излучательная рекомбинация в р-п переходах в GaAs, созданных диффузией бериллия
статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Авторы:
Юнович А.Э.
,
Елисеев П.Г.
,
Находнова И.А.
,
Ормонт А.Б.
,
Осадчая Л.А.
,
Стучебников В.М.
Журнал:
Физика твердого тела
Том:
6
Номер:
6
Год издания:
1964
Издательство:
Наука
Местоположение издательства:
СПб.
Первая страница:
1900
Последняя страница:
1902
Добавил в систему:
Юнович Александр Эммануилович