Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Исследование дефектов в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN методами катодо-люминесценции и растровой электронной микроскопии
статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Авторы:
Обыден С.К.
,
Сапарин Г.В.
,
Иванников П.Г.
,
Чукичев М.В.
,
Туркин А.Н.
,
Юнович А.Э.
,
Leroux M.
,
Dalmasso S.
,
Beaumont B.
,
De_Mierry P.
Журнал:
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Номер:
4
Год издания:
2000
Издательство:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Местоположение издательства:
Москва
Первая страница:
55
Последняя страница:
59
Добавил в систему:
Юнович Александр Эммануилович