|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Electron kinetic properties anisotropy of GaAs structures delta-dopet by Si on vicinal substrateтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Senichkin A.P., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., de Visser A.
- Сборник: Nanostructures: Physics and Technology. International Symposium. Abstracts. St.Peterburg, Russia, 20-24 June 1994
- Тезисы
- Год издания: 1994
- Место издания: Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 107
- Последняя страница: 109
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович