|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
On the possibility of transverse size oscillations in a domain with a high free-electron concentration under the action of a short light pulse on a semiconductorстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Loginova M.M., Trofimov V.A.
- Журнал: Technical Physics
- Том: 49
- Номер: 11
- Год издания: 2004
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 1517
- Последняя страница: 1520
- DOI: 10.1134/1.1826203
- Аннотация: Computer simulation is used to demonstrate the possibility of transverse size oscillations in a domain with a high concentration of free electrons under the action of a light pulse on a nonlinearly absorbing semiconductor. The results of computer simulation are confirmed analytically by testing the system stability.
- Добавил в систему: Трофимов Вячеслав Анатольевич