|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Oscillations of the free electron concentration in a semiconductor under the action of a femtosecond pulseстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Loginova M.M., Trofimov V.A.
- Журнал: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
- Том: 98
- Номер: 6
- Год издания: 2005
- Издательство: Optical Society of America
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 907
- Последняя страница: 912
- DOI: 10.1134/1.1953986
- Аннотация: The interaction of a femtosecond light pulse with a semiconductor is studied in the approximation of an optically thin layer taking into account the dependence of the absorption coefficient on the light-induced electric field. A possibility of the development of spatial oscillations of semiconductor characteristics (concentrations of free electrons and ionized donors and the strength of the light-induced electric field) under the action of a Gaussian beam is demonstrated on the basis of computer simulation and linear analysis.
- Добавил в систему: Трофимов Вячеслав Анатольевич