Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Noise characteristics of a single-electron transistor based on highly doped silicon-on-insulator
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Krupenin V.A.
,
Presnov D.E.
,
Vlasenko V.S.
,
Afanasiev N.N.
,
Erkhov D.N.
Сборник:
Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of 15th Int. Symposium - Nanostructures: Physics and Technology
Тезисы
Год издания:
2007
Место издания:
Ioffe Novosibirsk, Russia, 25-29 June
Первая страница:
149
Последняя страница:
150
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич