|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Interface acoustic modes of twisted Si(001) wafersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Mozhaev V.G., Tokmakova S.P., Weihnacht M.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 83
- Номер: 6
- Год издания: 1998
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 3057
- Последняя страница: 3060
- DOI: 10.1063/1.367126
- Аннотация: Interface acoustic waves at the (001) boundary of twisted single-crystal silicon wafers are studied using analytical and numerical techniques. A secular equation of the problem in an explicit form is derived for the propagation directions along the twist-angle bisectrix and a complete numerical solution is calculated for arbitrary propagation. A new mode of leaky-wave type is predicted. This leaky mode has a low propagation loss and distinct near-interface localization at small twist angles. The leaky wave is purely longitudinal at the interface in the bisectric case. A mode without leakage is found only in the vicinity of the bisectrix directions. Its feature is a rotating movement of interface particles in the plane normal to the propagation direction in the bisectrix case. The sector of azimuthal angles permitted for the propagation of the nonleaky mode has an unusual jumplike behavior as a function of the twist angle.
- Добавил в систему: Можаев Владимир Геннадиевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | MozhaevTokmakovaWeihnacht1998JAP.PDF | 86,7 КБ | 19 апреля 2014 [vgmozhaev] |