ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAAS/GAAS С КПД ДО 70статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
Аннотация:Представлены основные результаты разработки компактных мини-решеток лазерных диодов, работающих в импульсном режиме накачки на длине волны 875 нм, а также исследованы их приборные характеристики. Отличительной особенностью данных излучателей, помимо высокой выходной мощности ( 1.5 кВт), является узкая диаграмма направленности (угловая расходимость 21° × 8°) и малая площадь излучения (менее 1 мм2). Использование для создания решеток лазерных диодов последовательно интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs с тремя излучающими областями, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, позволило улучшить их рабочие параметры.