|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
High quality nitride based microdisks obtained via selective wet etching of AlInN sacrificial layersстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 октября 2019 г.
- Авторы: Dobri Simeonov, Eric Feltin, Alexei Altoukhov, Antonio Castiglia, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Nicolas Grandjean
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 92
- Номер: 17
- Год издания: 2008
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 171102
- Последняя страница: 171102-3
- DOI: 10.1063/1.2917452
- Аннотация: The authors report a technique for selective wet chemical etching of an AlInN sacrificial layer lattice-matched to GaN for the fabrication of air-gap photonic structures. It is used to demonstrate high quality factor (Q) microdisk cavities. Whispering gallery modes are observed in the photoluminescence spectra of InGaN∕GaN quantum wells (QWs) embedded in the GaN microdisks. Q factors of up to 3500 are obtained. The measured Qs are found to be limited by the QW absorption. Room temperature laser action is achieved for a wide spectral range (409–475nm) with a threshold down to 166kW/cm2.
- Добавил в систему: Алтухов Алексей Валерьевич