Фотоиндуцированные изменения плотности электронных состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:H - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Фотоиндуцированные изменения плотности электронных состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:Hстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Авторы: Казанский А.Г., Хабарова К.Ю.
Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Номер: 1
Год издания: 2006
Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 63
Последняя страница: 66
Добавил в систему: Казанский Андрей Георгиевич