Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
тезисы доклада
Авторы:
Кривобок В.С., Литвинов Д.А., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Пашкеев Д.А., Чернопицский М.А.,
Григорьева Л.Н.
Сборник:
VII Международный Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур. КОИПСС-2019
Тезисы
Год издания:
2019
Место издания:
Москва
Первая страница:
57
Последняя страница:
58
Добавил в систему:
Григорьева Людмила Николаевна