|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
The density of states in the mobility gap of amorphous hydrogenated silicon doped with erbiumстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Biryukov A.V., Kazanskii A.G., Terukov E.I., Khabarova K.Y.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 39
- Номер: 3
- Год издания: 2005
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 351
- Последняя страница: 353
- DOI: 10.1134/1.1882800
- Добавил в систему: Казанский Андрей Георгиевич