Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
X-ray study of SiC surface and bonding interface in compositions SiC/Si
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 июля 2020 г.
Авторы:
Argunova T.S., Grekhov I.V., Kostina L.S., Tur'yanskii A.G., Pirshin L.V.,
Prudnikov I.R.
, Kim E.D., Kim S.C., Kim N.K.
Сборник:
Abstr. 5th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Topography “XTOP-2000”
Тезисы
Год издания:
2000
Место издания:
Ustron-Jaszowiec, Poland
Первая страница:
P2. 2
Последняя страница:
P2. 2
Добавил в систему:
Прудников Илья Рудольфович