|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Modification of properties of the inversion layer in p-InAs(Zn) by proton implantationстатья
- Авторы: Koltsov G.I., Krutenyuk Yu V., Skipetrov E.P.
- Сборник: Ion Implatation Technology - 94, S. Coffa, G. Ferla, F. Priolo, E. Rimini (eds.). Proceedings of the Tenth International Conference on Ion Implantation Technology
- Год издания: 1995
- Место издания: Elsevier Science B.V North-Holland
- Первая страница: 835
- Последняя страница: 837
- Аннотация: The effect of proton bombardment on the galvanomagnetic properties of p-InAs with the n-type surface layer has been investigated. It is shown that implantation of protons leads to the appearance of donor type defects in the thin surface layer and allows one to control properties of the inversion layer in p-InAs at low temperatures.
- Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович