|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Improved InGaAs and InGaAs/InAlAs Photoconductive Antennas Based on (111)-Oriented Substratesстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 сентября 2020 г.
- Авторы: Kirill Kuznetsov, Aleksey Klochkov, Andrey Leontyev, Evgeniy Klimov, Sergey Pushkarev, Galib Galiev, Galiya Kitaeva
- Журнал: ELECTRONICS
- Том: 9
- Номер: 3
- Год издания: 2020
- Первая страница: 495
- Последняя страница: 505
- DOI: 10.3390/electronics9030495
- Аннотация: The terahertz wave generation by spiral photoconductive antennas fabricated on low-temperature In0.5Ga0.5As films and In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As superlattices is studied by the terahertz time-domain spectroscopy method. The structures were obtained by molecular beam epitaxy on GaAs and InP substrates with surface crystallographic orientations of (100) and (111)A. The pump-probe measurements in the transmission geometry and Hall effect measurements are used to characterize the properties of LT-InGaAs and LT-InGaAs/InAlAs structures. It is found that the terahertz radiation power is almost four times higher for LT-InGaAs samples with the (111)A substrate orientation as compared to (100). Adding of LT-InAlAs layers into the structure with (111)A substrate orientation results in two orders of magnitude increase of the structure resistivity. The possibility of creating LT-InGaAs/InAlAs-based photoconductive antennas with high dark resistance without compensating Be doping is demonstrated
- Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | electronics-09-00495.pdf | 1,9 МБ | 17 марта 2020 [Kirill_Kuznetsov] |