Evolution of femtosecond laser-induced periodic structures formed on amorphous silicon surfaceстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 августа 2020 г.
Аннотация:С помощью импульсного фемтосекундного лазерного излучения периодические поверхностные структуры (ППС) с периодом, близким к длине волны (1,25 мкм), были сформированы на пленках аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H). Направление штрихов структур относительно поляризации лазерного излучения изменялось с перпендикулярного на параллельное с увеличением числа лазерных импульсов от 50 до 1000. Наблюдаемая в экспериментах эволюция ППС хорошо согласуется с моделью так называемого фактора эффективности, который зависит от действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости и определяет волновой вектор ППС на облучаемой поверхности. В свою очередь, комплексное значение диэлектрической проницаемости на поверхности a-Si:H варьируется из-за изменения концентрации неравновесных электронов, возбуждаемых различным количеством мощных фемтосекундных лазерных импульсов. Согласно теоретическому моделированию концентрация возбужденных неравновесных электронов, необходимая для поворота направления штрихов ППС, равна 8,2·10^21 см^(–3).