|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние параметров облучения ионами ксенона и аргона на дефектообразование в кремниистатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 ноября 2020 г.
- Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Миннебаев Д.К., Elsehly E.M.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Номер: 3
- Год издания: 2020
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 23
- Последняя страница: 29
- Аннотация: Монокристаллический кремний был облучен ионами ксенона с энергиями 100, 200 кэВ и ионами аргона с энергией 110 кэВ. Флюенс облучения варьировался в диапазоне параметра «смещение на атом» (dpa) от 0.1 до 1 для обоих типов ионов и выбранных энергий. Влияние облучения на разрушение структуры кремния изучалось методами резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием и комбинационного рассеяния света. Продемонстрированы этапы разрушения кристаллической структуры кремния на основе спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния и комбинационного рассеяния света для разных флюенсов облучения. Показано, что с ростом флюенса до величины, соответствующей значению 0.5 dpa происходит накопление дефектов в модифицируемом слое, а затем, слияние высокодефектных областей в аморфные слои. При величине параметра dpa равного 1, полного разупорядочивания структуры монокристалла не наблюдается.
- Добавил в систему: Евсеев Александр Павлович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Первая страница | pervaya_stranitsa.pdf | 90,0 КБ | 3 сентября 2020 [balakshiny] |