|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Investigation of the Influence of Laser Annealing on the Structure of Surface Layers in Ion-implanted Silicon X-ray Diffractometryстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 апреля 2022 г.
- Авторы: Bushuev V.A., Petrakov A.P.
- Журнал: Physics of the Solid State
- Том: 35
- Номер: 2
- Год издания: 1993
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 181
- Последняя страница: 186
- Добавил в систему: Бушуев Владимир Алексеевич