Фотоиндуцированное изменение плотности электронных состояний в компенсированном a-Si:H - тезисы доклада | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Фотоиндуцированное изменение плотности электронных состояний в компенсированном a-Si:Hтезисы доклада

Авторы: Казанский А.Г., Хабарова К.Ю.
Сборник: Тезисы лекций и докладов III Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»)
Тезисы
Год издания: 2005
Место издания: Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС) Москва
Первая страница: 112
Последняя страница: 112
Добавил в систему: Казанский Андрей Георгиевич