Аннотация:В представленной работе предлагается метод расчета механических напряжений в
пленках и подложке, возникающих при напылении. Метод основан на ранее развитом
подходе молекулярно-динамического моделирования процесса роста тонких пленок.
Метод применен к пленкам диоксида кремния рекордной для атомистического
моделирования толщиной до 80 нм. Показано, что в случае высокоэнергетических
методов напыления наблюдается напряжение сжатия (compressive stress), величины
напряжений соответствуют экспериментальным данным. Получена зависимость
величин напряжений от толщины пленки при различных температурах подложки и
энергии напыляемых атомов. Для оценки точности используемого подхода проведен
расчет модуля Юнга атомистических кластеров диоксида кремния размером ~ 10 нм.
Вычисления проведены на суперкомпьютере "Ломоносов" Суперкомпьютерного
Центра МГУ им. М.В. Ломоносова.