Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Распределение зарядов в окисном слое структур Si-SiO2, подвергнутых имплантации и отжигу. Известия ВУЗов
статья
Авторы:
Барабан А.П., Кузнецова А.А., Малявка Л.В.,
Шишлова А.В.
Журнал:
Известия Вузов сер. электроника
Номер:
4
Год издания:
1998
Первая страница:
17
Последняя страница:
20
Добавил в систему:
Зайцева Анна Викторовна