|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
INFLUENCE OF PHOTOLUMINESCENCE AND TRAPPING ON THE PHOTOVOLTAGE AT THE POR-SI/P-SI STRUCTUREстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K., Matveeva A.B., Konstantinova E.A., Flietner H., Dittrich Th
- Журнал: Thin Solid Films
- Том: 276
- Номер: 1-2
- Год издания: 1996
- Издательство: Elsevier Sequoia
- Местоположение издательства: Switzerland
- Первая страница: 216
- Последняя страница: 218
- Добавил в систему: Кашкаров Павел Константинович