|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Formation mechanisms and photoluminescence properties of self-organized porous Si/SiO2 structures formed by electrochemical etching of n-type of Siстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 октября 2020 г.
- Авторы: Volovlikova O., Gavrilov S., Goroshko D., Chusovitin E., Pavlikov A., Dudin A.
- Журнал: Materials Science in Semiconductor Processing
- Том: 120
- Год издания: 2020
- Издательство: Elsevier Ltd.
- Местоположение издательства: Amsterdam, Netherlands
- Номер статьи: 105268
- DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105268
- Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович